Hynix表示，该新厂是其位于忠清道（Chungcheong）清州市（Cheongju）的第三家晶圆厂，命名为“M11”，于2007年4月开始动工，总面积达294,637 平方米，建筑面积占地108,697 平方米。M11靠近Hynix目前正在运营中的另外两个芯片制造厂，新工厂将会很好的利用现有的人力资源和架构。 Hynix董事长兼CEO Kim Jong-gap表示，公司计划加强产品在价格方面的竞争力，并在接下来的研发道路中保持高水准的投资。

　　已小规模生产NAND闪存的M11生产线计划从9月起开始生产40,000片12英寸晶圆，以后月产能将升至100,000片以上。Hynix表示，M11将专门制造最先进的高密度NAND闪存产品，包括采用40nm工艺技术的16Gb、32Gb闪存芯片。M11的产能将根据实际市场需求做出灵活的调整。第三个晶圆厂的完工，将使得Hynix在总的300mm晶圆的产能上获得约达到200,000片/月的提升。

　　Hynix半导体在一份声明中称，“生产过时的200毫米晶圆的利润率正在迅速下降。因此，我们将逐步转让出相应设备，并同时扩大300毫米晶圆产能。”

　　“在M11完工投产后，Hynix计划将清州打造成全球最大的NAND闪存制造基地。尽管目前半导体行业景气恢复进展缓慢，但我们仍继续确保我们的市场竞争力和成长力度，以维持在NAND市场的技术领导地位和策略主动性。”Jong-kap Kim表示。

　　Hynix半导体是按收入计全球第三大NAND芯片制造商，位列三星电子公司（SamsungElectronicsCo.）和东芝公司（Toshiba Corp.）之后。NAND芯片占Hynix半导体收入的30%左右，而DRAM芯片占到70%左右。